瑞萨电子(Renesas Electro
nics Corporation)发布了业界首款采用28纳米(nm)工艺技术的片上闪存微控制器(MCU),可为下一代环保汽车和自动驾驶汽车提供更高的效率和安全性。
RH850 / E2x系列MCU集成了多达6个400兆赫(MHz)CPU内核,可实现9600 MIPs的业界最高处理性能。新型MCU系列还具有高达16兆字节(MB)的内置闪存。新型RH850 / E2x MCU系列的主要功能包括:超高处理性能可实现环保汽车所需的复杂车辆控制;用于互联汽车大容量闪存的先进OTA软件更新;用于自动驾驶车辆的增强型安全功能。
与早期的40nm MCU相比,新款RH850 / E2x系列MCU在相同功率水平下的性能比其高约3倍,采用双核心锁步CPU结构,可确保两个CPU内核的计算结果完全相同。RH850 / E2x还提供多达四组CPU,并具有各种硬件安全改进的功能。这些功能可以在故障发生时立即检测故障并保障系统安全。此外,瑞萨将提供安全分析工具,可灵活支持各种用例来实现安全系统。
此外,瑞萨电子还应用了MONOS嵌入式闪存技术,其中,闪存单元中的每个晶体管由硅基底上的氧化物、氮化物和氧化物三层组成,金属控制栅极在顶部。基于MONOS技术的跟踪记录,该公司开发出适用于MCU内部闪存的SG结构。新型SG-MONOS型闪存实现了高可靠性、高速度、低功耗的MCU。